Подробности

Кристалл Ho: YLF, легированный гольмием, фторид иттрия и лития

HGO выращивает лазерные кристаллы Ho: YLF с использованием технологии Чохральского. Ho:YLF является очень привлекательным лазерным материалом, поскольку время жизни верхнего лазерного уровня намного больше (~ 14 мс), чем в Ho:YAG, а сечения излучения выше. Кроме того, тепловая линза в Ho:YLF намного слабее, что помогает генерировать лучи с ограничением дифракции даже при интенсивной торцевой накачке. Основное преимущество прямой накачки Ho 5 I 7 состоит в том, что она не должна зависеть от переноса энергии, что приводит к различным радиационным и безызлучательным потерям. Устранены потери преобразования с повышением частоты, которые оказывают пагубное влияние на высокоэнергетические лазеры с модуляцией добротности.

Горячие Теги : Прямая накачка кристаллов Ho:YLF Высокоэнергетический лазерный кристалл Ho: YLF Поставщик лазерного кристалла HoYLF Криогенные лазерные кристаллы Ho: YLF с высокой энергией импульса Лазерные кристаллы Ho: YLF с пассивной модуляцией добротности Ho: Производство лазерных кристаллов YLF
Читать далее

passively-q-switched-ho-ylf-laser-crystals